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110kV架空送电线路架设双地线,采用具有代表性的酒杯塔,塔的全

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    布丁学网发布" 110kV架空送电线路架设双地线,采用具有代表性的酒杯塔,塔的全"考试试题下载及答案,更多注册电气工程师(发输变电)的考试试题下载及答案考试题库请访问布丁学网建筑工程频道。

  • [单选题] 110kV架空送电线路架设双地线,采用具有代表性的酒杯塔,塔的全高为33m,双地线对边相导线的保护角为10°,导地线高度差为3.5m,地线平均高度为20m,导线平均高度为15m,导线为LGJ-500/35(直径d=30mm)钢芯铝绞线,两边相间距d[13.gif]=10.0m,中边相间距d12=d[23.gif]=5m,塔头空气间隙的50%放电电压U[JZ540_290_31.gif]为800kV。

  • 每相的平均电抗值χ1为下列哪项?(提示:频率为50Hz)( )

  • A. 0.380Ω/km
    B. 0.423Ω/km
    C. 0.394Ω/km
    D. 0.420Ω/km

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  • [单选题]某瞬时若平面图形上各点的加速度方向都指向同一点,则可知此瞬时平面图形的角速度ω和角加速度α为( )。
  • A. ω=0,α≠0
    B. ω≠0,α=0
    C. ω=0,α=0
    D. ω≠0,α≠0

  • [单选题]某风力发电场,一期装设单机容量1800kW的风力发电机组27台,每台经箱式变升压到35kV,每台箱式变容量为2000kVA,每9台箱变采用1回35kV集电线路送至风电场升压站35kV母线,再经升压变升至110kV接入系统,其电气主接线如图所示。 [JZ368_115_1_1.gif]
  • 已知每一回35kV集电线路上接有9台2000kV的箱式变压器,其集电线路短路时的热效应为1067kA2?s,铜芯电缆的热稳定系数为115,电缆在土壤中敷设时的综合校正系数为1,请判断下列哪种规格的电缆既满足载流量又满足热稳定要求?三芯交联聚乙烯绝缘铜芯电缆在空气中(25℃)长期允许载流量 [JZ368_116_5_1.gif] 注:缆芯工作温度在80℃,周围环境温度为25℃。

  • A. 3×95
    B. 3×120
    C. 3×100
    D. 3×185

  • [单选题]某地区拟建一座500kV变电站,站地位于Ⅲ级污秽区,海拔高度不超过1000m,年最高温度+40℃,年最低温度-25℃,变电站的500kV侧,220kV侧各自与系统相连,35kV侧接无功补偿装置。该站运行规模为:主变压器4×750MVA,500kV出线6回,220kV出线14回,500kV电抗器两组,35kV电容器组2×60Mvar,35kV电抗器2×60Mvar。主变压器选用3×250MVA单相自耦无励磁电压变压器。电压比为(525/[JZ540_23_26.gif])/(230/[JZ540_23_26.gif])±2×2.5%/35kV,容量比为250MVA/250MVA/66.7MVA,接线组别为YNao d11。
  • 本期的2回500kV出线为架空平行双线路,每回长约120km,均采用4×LGJ-400导线(充电功率1.1Mvar/km),在初步设计中,为补偿充电功率,曾考虑在本站配置500kV电抗器作调相调压,运行方式允许两回路共用一组高压并联电抗器。请计算本站所配置的500kV并联电抗器最低容量宜为下列哪一种?( )

  • A. 59.4MVA
    B. 105.6MVA
    C. 118.8MVA
    D. 132MVA

  • [单选题](2008)图1.2-18所示电路的输入电阻为( )Ω。 [JZ541_22_9.gif]
  • A. -32
    B. 3
    C. 10
    D. 4

  • [单选题](2012)我国110kV及以上系统中性点接地方式一般为( )。
  • A. 中性点直接接地
    B. 中性点绝缘
    C. 经小电阻接地
    D. 经消弧线圈接地

  • [单选题]如图所示,均质杆AB,质量为M,长为l,A端连接一质量为m的小球,并一起以角速度ω绕O轴转动,则此系统对O轴的动量矩[JZ293_383_6.gif]和动能T为( )。 [JZ293_383_7.gif]
  • A. [JZ293_383_8.gif]
    B. [JZ293_383_9.gif]
    C. [JZ293_383_10.gif]
    D. [JZ293_383_11.gif]

  • [单选题]不接地、经消弧线圈和高电阻接地系统中,高压与发电厂、变电所电力生产用低压电气装置共用的接地装置,其保护接地的接地电阻应符合( )要求。
  • A. R≤50/I,且不宜大于2Ω
    B. R≤120/I,且不应大于4Ω
    C. R≤250/I,且不宜大于10Ω
    D. R≤2000/I,且不得大于5Ω

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